次世代自動車とデータセンタ向けのSiC/GaNパワーデバイス技術セミナー開催

SiC/GaNパワーデバイス技術セミナーのご紹介

次世代自動車やデータセンタ向けの高性能化が求められる中、3月13日（木）に「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」セミナーが開催されます。このセミナーは、筑波大学の岩室憲幸教授を講師として迎え、ZOOMを使用したライブ配信形式で行われます。

イベントの概要

- 日時：2025年3月13日（木）10:30～16:30
- 参加費：

- 一般：55,000円（税込）
- メルマガ会員：49,500円（税込）
- アカデミック：26,400円（税込）

このセミナーは、特にSiC/GaNパワーデバイスに焦点を当て、最新の技術動向や市場のニーズを理解するための貴重な機会です。質疑応答の時間も設けられているため、参加者は直接講師に質問し、疑問を解消することも可能です。

セミナーの対象者

このセミナーは、パワーエレクトロニクスやパワーデバイスの開発に関わる担当者、またそれに関連する機器の販売に従事する方々を主な対象としています。これからの時代に必要不可欠な技術を学ぶ絶好のチャンスです。

学びの内容

セミナーでは、以下の内容がカバーされます：

- データセンタ用電源や電動車両（xEV）におけるパワーデバイスの役割
- Si、SiC、GaNデバイスの最新技術と実装技術
- SiCおよびGaN機器の設計やプロセス技術に関する基礎知識

この情報を通じて、業界の最新動向を把握し、将来的な技術開発に活かす手がかりを得られるでしょう。

講師の紹介

岩室憲幸教授は、パワー半導体技術の第一人者であり、研究開発において多くの実績を残しています。彼の豊富な経験をもとに、参加者は実践的な知識を身につけることができるでしょう。

申し込み方法

申込みはシーエムシー・リサーチの公式サイトから行えます。視聴のためのURLは、参加申し込み後にメールで送付されるので、準備を整えてご参加ください。録音や撮影は禁止されていますので、ご了承ください。

このセミナーを通じて、次世代自動車やデータセンタの技術動向をしっかりと学び、業界の流れに乗り遅れないようにしましょう。申し込みはお早めに、皆様の参加をお待ちしております。