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次世代パワー半導体の結晶評価に関するセミナー開催のお知らせ

2025年11月18日（火）に、シーエムシー・リサーチが主催するライブ配信セミナーが開催されます。このセミナーでは、次世代パワー半導体とパワーデバイスにおける結晶欠陥評価技術とその最新動向について学ぶことができます。講師には、三重大学の姚永昭教授が招かれ、深入りした知識と技術を提供してくれます。この講座を通じて、様々なワイドギャップ半導体の結晶評価に関する重要な知見を得ることができるでしょう。

セミナー概要

• - 開催日時: 2025年11月18日（火）13:30～16:30
• - 配信方法: Zoomによるライブ配信（見逃しアーカイブ付）
• - 受講料: 一般44,000円（税込）、メルマガ会員39,600円（税込）、アカデミック26,400円（税込）

このセミナーでは、次世代パワー半導体の代表格である4H-SiC、GaN、β-Ga2O3などの結晶評価に焦点を当てます。特に、結晶中に存在する欠陥がデバイス特性に与える影響について詳しく解説します。欠陥の解析は、デバイスの性能と信頼性に直結するため、重要な研究テーマとなります。

セミナーで学べる内容

このセミナーでは、以下のような知識が得られます。

• - 結晶の構造に関する基本的な理解
• - 結晶中に存在する欠陥の種類や特徴
• - 欠陥を評価するための具体的な方法論
• - デバイスに与える欠陥の影響とその重要性

特に、次世代パワーデバイスは高電力密度や低損失、高温での安定性といった優れた性能を持つため、その研究は急速に進展しています。しかし、強い共有結合を持つこれらの材料は結晶成長が難しく、必然的に転位やその他の格子欠陥が高密度で含まれることになります。これらの格子欠陥の一部は、デバイスの性能を損ねるため、その正確な評価と管理が求められます。

セミナーの構成

1. パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
- パワーデバイスに使用されるワイドギャップ半導体の紹介
- 結晶中の欠陥とは何か
- 欠陥評価手法の概要

2. 結晶評価手法の詳細
- 選択性化学エッチング（エッチピット法）
- 透過型電子顕微鏡（TEM）
- 多光子励起顕微鏡
- X線回折およびX線トポグラフィー
- その他の評価手法

3. デバイスの評価
- デバイス中の欠陥の影響
- 評価方法の具体例
- 欠陥による悪影響の検証

4. まとめ
- 学んだ内容の整理と今後の展望

参加方法

参加を希望する方は、シーエムシー・リサーチの公式サイトからお申し込みください。申し込み後、視聴用のURLがメールで送信されます。

まとめ

このセミナーは、半導体結晶の欠陥評価に従事する研究者や技術者を対象とした内容となっており、質疑応答の時間も設けられています。研究や業務に役立つ貴重な情報を得る絶好の機会です。是非ご参加ください！

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