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SEMICON Japan 2025における東レリサーチセンターの出展

2025年12月17日（水）から19日（金）に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON Japan 2025」に、株式会社東レリサーチセンターが参加します。この展示会では、東レのグループ会社である東レエンジニアリング株式会社、東レエンジニアリング先端半導体MIテクノロジー株式会社、東レ・プレシジョン株式会社と協力し、最新の半導体デバイスや電子材料に関連する分析技術をご紹介します。ブースは東展示棟の小間番号E4908番、APCSエリアに位置しています。

出展内容の詳細

今回の出展では、多様な分野にわたる最新の分析技術に焦点を当て、以下のような内容を展示予定です。

1. 新規導入装置と独自の分析技術

• - ICON-IRによる接着界面の分析（2025年4月導入予定）
• - ESR法を用いたSiN膜中の欠陥量の深さ方向分析
• - マイクロRBSによる3次元構造体に形成した薄膜の組成評価
• - HAXPESによるGaNの元素組成および化学状態分析
• - STEM, CL, DLTSを用いたGaN-HEMTの欠陥解析

2. 材料評価・分析

• - 同位体ガスを利用したデバイス材料のガス浸透性評価
• - 半導体材料のラマン分析における最適な装置選択の提案
• - Low-k材料であるSiOC薄膜の膜質評価

3. プロセス評価・最適化

• - ALD-SiN膜の初期構造解析をFT-IR法で実施
• - カソードルミネッセンス(CL)法によるシリコンパワーデバイスの評価
• - トレンチ構造の側壁の粗さ評価及び汚染分析
• - ハイブリッド接合プロセスの最適化に向けたウェハ接合試料の分析
• - 半導体封止用樹脂の熱硬化挙動の解析

4. デバイス評価・開発支援

• - 実装材料の熱特性評価の事例を紹介
• - 先端通信デバイスの開発支援に向けたルミネッセンス分析
• - マルチイオン種プラズマFIBによる電位コントラスト観察
• - ヘリウム冷却STEM-CL法を使用したVCSELの発光特性評価

5. マッピング・可視化

• - SIMSを活用したSiC結晶中のNイメージ評価
• - fsLA-ICP-MSを利用したSiC基板中の微量元素の三次元イメージング
• - 薄膜の応力測定（温度依存性対応）

6. 分析技術・前処理

• - EUVリソグラフィー用化学増幅型レジスト中の構造解析
• - 高温加熱時アウトガス分析

7. 分析＋シミュレーション

• - 樹脂の熱硬化過程へのフィラーの影響に関する熱分析とMDシミュレーション

8. グローバル市場向けサービス

• - 東レリサーチセンターの半導体・電子材料向け高度分析サービス

9. 関係会社との連携

• - 包装材からの硫黄化合物発生に関する情報
• - 超純水の質管理について

この展示会を通じて、最新の半導体分析技術に触れる貴重な機会となります。是非、当社のブースにお立ち寄りください。未来の技術を一緒に体験しましょう！

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