次世代半導体の未来を切り開く！新技術発表「SEMICON Japan 2025」出展

次世代半導体の未来を切り開く新技術

アキレス株式会社が新たに発表したのは、貫通孔付きガラス基板への高密着めっき膜形成技術です。この革新的な技術は、半導体の高密度化や小型化を実現することを目指しています。2025年の「SEMICON Japan」に出展され、業界内での注目が集まることでしょう。

高密着めっき技術の開発背景

伝統的に、貫通孔付きのガラス基板は、半導体パッケージ基板として使用される際に、めっき膜の密着性を確保することが困難でした。通常、300℃以上の高温処理が求められますが、アキレスのポリピロールめっき法を活用することで、低温・常圧のプロセスでも高い密着性が実現可能です。このため、ガラス基板へのめっき膜形成が、より簡単かつ環境に優しい形で行えるようになりました。

具体的な技術の特徴

アキレスのポリピロールめっき法では、以下のような特長があります：
1. ナノ分散ポリピロール液を使用し、塗工した箇所のみにめっきが析出するため、無駄がありません。
2. 様々な基材への高密着性を持つため、幅広い応用が可能です。
3. 環境負荷を低減するため、エッチング処理が不要です。

これにより、スマートフォンのような小型機器でも、電磁波シールド用めっきが実現し、さらなる薄型化・軽量化に貢献しています。