次世代パワー半導体研究の最前線に迫るセミナー開催のお知らせ

次世代パワー半導体とデバイス評価技術セミナーについて

2025年9月29日（月）の午後、先端技術の革新をテーマにしたセミナーが開催されます。主催はシーエムシー・リサーチで、講師には三重大学の姚永昭教授が登壇します。本セミナーでは、「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」と題して最新の技術について詳しく解説します。

セミナーの概要

- 開催日時: 2025年9月29日（月） 13:30～16:30
- 形式: Zoomによるライブ配信（見逃し配信あり）
- 参加費: 一般44,000円（税込）、メルマガ会員39,600円（税込）、アカデミック価格26,400円（税込）。資料付き。

このセッションは、4H-SiCやGaN、β-Ga2O3などワイドギャップ半導体における結晶評価に特化しています。結晶中の欠陥について、どのように影響を及ぼすのかを詳しく学ぶ機会です。受講者は、欠陥の解析手法からデバイス特性に至るまで、幅広い知識を得ることができます。

受講者の対象

このセミナーは、半導体結晶の欠陥評価に従事する研究者や技術者に特に適しています。業務で活用するための知識を深めたい方には最適な内容です。

セミナーで得られる内容

1. 結晶の構造と特性
2. 結晶中に存在する欠陥の解析
3. 欠陥評価手法
4. 欠陥がデバイスに与える影響

セミナー終了後には質疑応答のセッションも設けられており、参加者の疑問に直接お答えする時間もあります。この機会を利用して、ぜひ専門知識を深め、技術的な理解を深めましょう。

ワイドギャップ半導体の重要性

ワイドギャップ半導体は、高電力密度や低損失、高温環境での動作が可能であるため、次世代パワーデバイスにおいて非常に重要な材料とされています。しかし、これらは結晶成長時に高密度の格子欠陥を含むため、その評価と特定がデバイス性能に大きな影響を及ぼします。

今回は、評価技術の原理と実際の応用事例について、姚教授が基礎から解説します。また、最新の評価技術に触れられる貴重な機会でもあるため、ぜひ参加を検討してください。

みどころ

- 最新の評価技術を基にした実践的な内容の提供
- 参加者同士の情報交換やネットワーキング

さらに、見逃し配信も用意されているため、当日に参加できない方でも、後日アーカイブ視聴が可能です。時間を調整して、何度でも復習できるのも大きな魅力です。

申し込み方法

セミナーへの申し込みは、シーエムシー・リサーチの公式サイトから行えます。参加希望者は、視聴用のURLが記載されたメールを受け取りますので、事前に手続きしておくことをお勧めします。

詳細・申し込みはこちらから: シーエムシー・リサーチ

緊急のトピックについても、最新の研究結果や展望が共有されるので、多くの方々にとって実りのある経験となるでしょう。先端技術の情報を逃さずに、ぜひお見逃しなく！