次世代自動車とデータセンタ技術革新について学ぶセミナー開催

次世代自動車とデータセンタの技術を深めるセミナーが間もなく開催！

2025年12月8日（月）に行われる、
シーエムシー・リサーチ主催のオンラインセミナー「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」について詳しくご紹介します。オンラインプラットフォームZOOMを通じて、10:30から16:30までの長時間にわたり開催され、著名な講師を迎え、専門的な知識を提供します。

セミナーの目的

今回のセミナーでは、次世代の技術が必要とされる背景を広く理解することが目指されています。自動車の電動化やAI技術の向上が進む中、データセンタのエネルギー効率化は必要不可欠です。特に、SiC（シリコンカーバイド）およびGaN（窒化ガリウム）パワーデバイスの進展が注目されており、これらのデバイスがどのように高性能化を実現するのかがテーマです。

重要な技術トレンドや、今後の課題を把握することで、参加者は自身の業務や研究に役立てることができるでしょう。講師は筑波大学の岩室憲幸教授で、彼は長年にわたってパワーエレクトロニクスの研究開発に関与してきた実績を持ちます。

セミナーの内容

1. パワーエレクトロニクスの基礎とその重要性：
- パワーデバイスの役割や種類
- 高周波作動の特長とメリット
2. 最新シリコンパワーデバイスの進捗：
- MOSFETとIGBTに関する技術の進歩
- 革新的な特性改善の技術
3. SiCおよびGaNパワーデバイスの現状と課題：
- 両デバイスの利点と市場における競争
- 新素材の普及に関する解析
4. 高温動作とその実装技術：
- SiC-MOSFETモジュールの重要性と開発の動向

参加費用は、一般が55,000円（税込）、メルマガ会員は49,500円（税込）、アカデミック関係者には26,400円（税込）と設定されています。申し込みは公式サイトから行えます。

質疑応答の機会

参加者にはインタラクティブな質疑応答の機会も設けられ、疑問点を講師に直接尋ねることができます。この機会を生かして、専門的な知識をさらに深めるチャンスです。

お申し込みの詳細

興味のある方は、指定のURLからお申し込みください。
お申し込み後、視聴用のURLがメールで送られますので、事前に準備しておくことをお勧めします。なお、セミナー中の録音や撮影は固く禁止されていますので、注意が必要です。

参加対象者

このセミナーは、パワーエレクトロニクスに関わる開発者や技術者、またパワーデバイスを扱う販売業務に従事する方々を主な対象としています。最新技術に触れ、今後の業務に生かしたい方はぜひ参加をご検討ください。

次世代自動車とデータセンタ技術における革新が進む今、専門的な知識を身につける絶好の機会です。ぜひ、参加してみてはいかがでしょうか。