#次世代半導体 #筑波大学 #新材料

次世代パワー半導体SiCの技術革新とビジネスの未来を探るセミナー

2025年2月7日、次世代のパワー半導体技術に関するセミナーが開催されます。このセミナーでは、筑波大学数理物質系の岩室憲幸教授が、最新の技術動向とそのビジネスチャンスについて講演します。

1. セミナーの背景

近年、自動車業界は電動化の流れを加速させており、この動きは世界各国へと広がりを見せています。特に、電動車（xEV）の性能を支える重要な部品であるパワー半導体の分野では、新材料としてのシリコンカーバイド（SiC）の需要が高まっています。しかしながら、依然として市場の主役はシリコン製のパワー半導体です。この現状は、SiCの性能や信頼性、さらにはコスト面が市場の要望に十分に応えられていないことが影響しています。

2. セミナーの内容

セミナーでは、以下のような講義項目を通じて、SiCパワー半導体の現状と市場の要求に応えるための最新技術について詳しく解説されます。

• - パワー半導体の基本概念: シリコンパワー半導体の強みと弱みを理解し、次世代半導体の開発がどのように位置づけられるかを学びます。

• - SiCパワー半導体の現状と課題: なぜSiCが新材料パワー半導体でのトップランナーであるのか、コストダウンに向けた技術開発や信頼性に関する重要な課題について詳しく説明されます。特に、内蔵ダイオードの順方向劣化とその改善策に焦点が当たります。

• - 名刺交換・交流会: 参加者同士の人脈形成や新たなビジネスチャンスを創出するための場として、名刺交換や交流会が設けられています。

3. 受講方法と参加料

参加者は、会場受講、ライブ配信、またはアーカイブ配信から選べます。アーカイブ配信では、セミナー終了後も2週間にわたり、何度でも視聴が可能です。受講料は1名の場合33,660円（税込）、2名以降の同時申し込みでは28,660円となっています。

4. セミナーの目的

このセミナーは、既存のビジネスとのつながりを深め、新しい顧客の開拓や、新規事業展開に寄与することを目的としています。セミナー終了後には岩室教授への質問時間も設けられ、参加者同士のネットワーキングも重視されています。

5. お問い合わせ

詳細な情報や申し込みについては、以下のリンクをご覧ください。

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会社情報

このセミナーは、日本計画研究所が主催するもので、同研究所は国家政策やナショナルプロジェクトの推進に資する情報を提供し続けており、この分野での専門性を持つ参加者に向けたリアルなセミナーを50年以上開催しています。

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