フローディア、車載向け新eFlash IP「G1」を発表！性能と信頼性が進化

フローディアが新たな車載向けeFlash IP「G1」を発表

株式会社フローディア（本社：東京都小平市）は、TSMCの180BCD Gen3プロセスプラットフォームを用いた新しい車載向けeFlash IP「G1」をリリースしました。この新製品は、次世代の自動車アプリケーションが要求する高い信頼性と性能を満たすために設計されています。

大きな特長

G1はSONOS技術を基に、256KBのプログラム用フラッシュマクロと1KBのデータ用フラッシュマクロを統合しており、車載ICに対して高性能かつコスト効率の良い不揮発性メモリソリューションを提供します。このeFlashプロセスは、TSMCが提供する標準の180BCD Gen3プラットフォームに従い、独自の半導体設計ツールキット（PDK）を変更せずに追加されているため、顧客は既存のPDKを活用しながら組込みフラッシュをスムーズに設計に組み込むことができます。

また、このIPはAEC-Q100 Grade 1のフル認定を取得しており、厳しい車載動作条件に耐えうる堅牢性と量産対応の準備が整っていることが実証されています。

システム性能の向上

G1 eFlash IPは、コード格納用の256KBプログラムフラッシュ（PFlash）と、耐久性のある1KBデータフラッシュ（DFlash）から構成されます。DFlashはEEPROM相当の機能を提供し、10万回のプログラムおよび消去を行える能力を備えています。また、PFlashとDFlashの両者は、高速動作を最適化しており、最大消去時間が20ms未満という短縮を実現しているため、車載システムのパフォーマンスを大幅に向上させることが可能です。

簡素化された統合

さらに、G1 eFlash IPは内蔵されたチャージポンプを搭載しており、外部高電圧回路を必要とせず、システム統合がシンプルに行えます。PFlashとDFlashには、8ビットのパリティを持つECCインターフェースが備わっているため、デバイスのライフタイム中にわたって高いデータ完全性と信頼性を維持することができます。

幅広いアプリケーション

実績のあるSONOSベースのアーキテクチャと高速消去性能を持つフローディアのG1 eFlash IPは、パワーマネジメントIC、モータドライバ、ボディエレクトロニクスなど、さまざまな車載アプリケーションに適応できます。

企業情報

株式会社フローディアは、日立製作所やルネサステクノロジで20年以上の経験を持つエンジニアたちが、2011年に設立した企業です。主にマイクロコントローラやパワー半導体、センサー等に使われる組込み型の不揮発性メモリを売りにしています。これを半導体メーカーにライセンス提供するビジネスを展開しており、確かな経験と技術力で業界内での地位を確立しています。

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